TDM3426B - Techcode

TDM3426B N-Channel Enhancement Mode MOSFET

The  TDM3426B  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.  GENERAL FEATURES   RDS(ON) < 16mΩ @ VGS=4.5V    RDS(ON) < 10mΩ @ VGS=10V   High Power and current handling capability   Lead free product is available   Surf.

Features

 RDS(ON) < 16mΩ @ VGS=4.5V    RDS(ON) < 10mΩ @ VGS=10V 
 High Power and current handling capability 
 Lead free product is available 
 Surface Mount Package  Application 
 PWM applications 
 Load switch 
 Power management    DATASHEET TDM3426B         ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Symbol  Drain‐Source Voltage  VDS  Gate‐Source Voltage  VGS  Diode Continuous Forward Current  Is(TC=25℃)  Continuous Drain Current (Note 1)  ID（TC=25℃）  Pulse Drain Current Tested  IDM（TA=25℃）  Maximum Power Dissipation  PD(TC=25℃)  Maximum Power Dissi.