TDM3408 - Techcode

TDM3408 N-Channel Enhancement Mode MOSFET

The  TDM3408  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.  GENERAL FEATURES     RDS(ON) < 17.5mΩ @ VGS=4.5V    RDS(ON) < 10.8mΩ @ VGS=10V   High Power and current handling capability   ESD protection   Lead free p.

Features

 
 RDS(ON) < 17.5mΩ @ VGS=4.5V    RDS(ON) < 10.8mΩ @ VGS=10V 
 High Power and current handling capability 
 ESD protection 
 Lead free product is available 
 Surface Mount Package  Application 
 PWM applications 
 Load switch 
 Power management    DATASHEET TDM3408   PPAK-3
*3-8      ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Drain‐Source Voltage  Gate‐Source Voltage  Diode Continuous Forward Current  Drain Current @ Continuous  Drain Current @ Current‐Pulsed (Note 1)  Maximum Power Dissipation  Drain Current @ Continuous  Maxi.