TDM3426 - Techcode

TDM3426 N-Channel Enhancement Mode MOSFET

The  TDM3426  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.      GENERAL FEATURES   RDS(ON) < 9.8mΩ @ VGS=4.5V    RDS(ON) < 7.2mΩ @ VGS=10V   High Power and current handing capability   Lead free product is acquired  .

Features

 RDS(ON) < 9.8mΩ @ VGS=4.5V    RDS(ON) < 7.2mΩ @ VGS=10V 
 High Power and current handing capability 
 Lead free product is acquired 
 Surface Mount Package  Application 
 PWM applications 
 Load switch 
 Power management      ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Symbol  Drain‐Source Voltage  VDS  Gate‐Source Voltage  Drain Current @ Continuous(Note 2)  VGS  ID（25℃）  ID（100℃）  Drain Current @ Current‐Pulsed (Note 1)  Maximum Power Dissipation (TA=25℃)  IDM  PD  Operating Junction and Storage Temperature Range  TJ,TSTG  THERMAL CHARACTERISTI.