TDM3413 - Techcode

TDM3413 P-Channel Enhancement Mode MOSFET

The  TDM3413  uses  advanced  trench  technology  to  provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This  device is suitable for use as a load switch or in PWM  applications.  GENERAL FEATURES   ‐30V/‐17.6A   RDS(ON) < 15mΩ @ VGS=‐4.5V  RDS(ON) < 9mΩ @ VGS=‐10V   Reliable and Rugged   HBM ESD capability level of 8KV typical   Lead free product is avai.

Features

 ‐30V/‐17.6A 
 RDS(ON) < 15mΩ @ VGS=‐4.5V  RDS(ON) < 9mΩ @ VGS=‐10V 
 Reliable and Rugged 
 HBM ESD capability level of 8KV typical 
 Lead free product is available 
 DFN5X6 Package  Application 
 PWM applications 
 Load switch 
 Power management  DATASHEET TDM3413     ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Drain‐Source Voltage  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current(VGS=‐10V) (note1)  300μs Pulsed Drain Current Tested (note1)  Diode Continuous Forward Current (note2)  Maximum Power Dissipation (note1)  Maximum Junction Temperature  St.