TDM3411 - Techcode

TDM3411 2N AND 2P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET

The  TDM3411  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.  GENERAL FEATURES   N CHANNEL  RDS(ON) < 35mΩ @ VGS=4.5V  RDS(ON) < 31mΩ @ VGS=10V   P CHANNEL  RDS(ON) < 43mΩ @ VGS=‐4.5V  RDS(ON) < 33mΩ @ VGS=‐10V   High Pow.

Features

 N CHANNEL  RDS(ON) < 35mΩ @ VGS=4.5V  RDS(ON) < 31mΩ @ VGS=10V 
 P CHANNEL  RDS(ON) < 43mΩ @ VGS=‐4.5V  RDS(ON) < 33mΩ @ VGS=‐10V 
 High Power and current handling capability 
 Lead free product is available 
 SOP‐8 Package  Application 
 PWM applications 
 Load switch 
 Power management 
 Hard Switched and High Frequency Circuits  DATASHEET TDM3411       ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Symbol  Drain‐Source Voltage  Gate‐Source Voltage  Drain Current @ Continuous  Drain Current @ Current‐Pulsed (N.