3DD2102 Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification Datasheet

3DD2102 Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification

NPN ○R 3DD2102 1 ： 3DD2102 NPN ，，，、。：TO-3P(H)IS， RoHS 。 VCBO IC Ptot（TC=25℃） 1500 6 50 2 ： ● TO-3P(H)IS ● ● ● ● 3 ： 21 。 1 2 1.B 3 2.C 3.E C B 50Ω E V A W （Pb）（Hg）（Cd）（Cr(VI)） (PBB) （PBDE）（） ≤0.1% ≤0.1% ≤0.01% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1% ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○.

Features

DD2102 1 () IC (A) Tc=25℃ 1 2 Ptot
– T Ptot(W) 40 30 Ptot-Tc 0.1 0.01 1 20 10 Ptot-Ta 10 100 VCE (V) 0 0 50 100 T(℃) 3 （IC -VCE） Ic(A) Ta=25℃ h1F0E0 4 hFE - IC Ta=125℃ VCE=5V 1 10 Ta=-55℃ IB=10mA Ta=25℃ 0 1 5 VCE(V) 0.01 0.1 1 Ic(1A0) 3 5 2008 ○R 3DD2102 5 VCEsat - IC 6 VBEsat - IC VCEsat(1V0) 1 0.1 0.1 Ta=125℃ Ta=25℃ IC/IB=B 5 1 Ic(1A0) VBEs1at.(V1) 1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.1 Ta=25℃ Ta=125℃ IC/IB=B 5 1 Ic(1A0) 4 5 2008 6 ○R 3DD2102 BC E 7 7-1 ： 1）， 100 / ； 2）， 5 /； 3）， 5 /。 7-2 ： 1），； ,。 2） 80% ；，，；；。 3) ，，。 8 ： 14 ：2140.

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3DD2102 - ETC

DataSheet.in R ：200705B 3DD2102 ： 2007.5.29 DataSheet.in R '' Ԣᬒ໻ㅵ໇ᅮⱘঠᵕൟ᱊ԧㅵ D ѻક⡍ᗻ ƹय़:Vcbo=1500.

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