BSM300GAL120DLC - eupec GmbH

BSM300GAL120DLC IGBT-Module

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM300GAL120DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current.

Features

stor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 300A, V GE = 15V, Tvj = 25°C IC = 300A, V GE = 15V, Tvj = 125°C IC = 12mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) VCE sat min. 4,5 typ. 2,1 2,4 5,5 max. 2,6 2,9 6,5 V V V VGE = -15V...+15V QG - 3,2 - µC f = 1MHz,Tvj = 25°C,V CE = 25.