BSM300GA120DLC - eupec GmbH

BSM300GA120DLC IGBT-Modules

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM300GA120DLC vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage VCES TC = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 80°C IC,nom. IC ICRM 1200 300 570 600 V A.

Features

e Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 300A, V GE = 15V, Tvj = 25°C IC = 300A, V GE = 15V, Tvj = 125°C IC = 12mA, V CE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) VCE sat min. 4,5 typ. 2,1 2,4 5,5 max. 2,6 t.b.d. 6,5 V V V VGE = -15V...+15V QG - .