KT8248A1 - Integral

KT8248A1 NPN Transistor

КТ8248А, А1 n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный высоковольтный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы (КТ8248А1 с демпфирующим диодом и резистором в цепи эмиттер-база). Предназначены для применения в высоковольтных ключевых схемах телевизионных приемников, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения..

Features

ения база-эмиттер Сопротивление резистора эмиттер-база КТ8248А1
*1 Емкость коллекторного перехода
*1 Вpемя спада
*1 Вpемя рассасывания
*1 Постоянное прямое напряжение диода КТ8248А1 Обозн. Uкэо гp. Iкэк Iэбо Ед. изм. B мА мA Режимы измеpения Iк=100mA, Iб=0, L= 40 мГн Uкэк =1500B Uбэ=0 Uэб=7,5B; Iк=0 h21э Uкэ(нас) Uбэ(нас) Rэб Ск tсп. tрас. Uпр. Uкэ=5B, Iк=3A, t и≤ 300 мс, Q≥100 Uкэ=5B, Iк=0,3A, t и≤ 300 мкс, Q≥100 В Iк=3 A, Iб=0,79 А, t и≤ 300 мкс, Q≥100 В Iк=3 A, Iб=0,79 А, t и≤ 300 мкс, Q≥100 Ом Uэб=7,5 В, Iк=0 пФ Uкб=10 В, f=1 МГц мкс Uк=500В, Iк =3 А IБ1=0,67А, IБ2=-1,3А В Iпр=3 A, t и≤.