KT8225A - Integral

KT8225A NPN Transistor

КТ8225А n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный составной транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона) с интегральными демпфирующим (в цепи коллектор-эмиттер) и ограничительным (в цепи коллекторбаза) диодами. Предназначены для работы в схемах электронного управления зажигания, а также в.

Features

= +25 °С Параметры Обратный ток коллектор-эмиттер Обратный ток эмиттера Напряжение насыщения коллектор - эмиттер (1) Напряжение насыщения база-эмиттер (1) Статический коэффициент передачи тока (1,2) Граничное напряжение коллектор
  – эмиттер Прямое напряжение на диоде Время рассасывания Время спада Импульсная энергия на индуктивной нагрузке Обозн. Iкэо Iэбo Uкэ (нас) Uбэ (нас) h21Э Uкэо гр Uпр.д tрас.
* tсп.
* Еимп.
* Ед, изм. мA мA В В Режим измерения Uкэ=300В, Iб=0 Uэб= 5В,Iк=0 Iк=8A,Iб=100мА Iк=10A,Iб=250мА Iк=12A,Iб=300мА Iк=8A,Iб=100мА Iк=10A,Iб=250мА Iк=12A,Iб=300мА Uкэ=10В,Iк=5A В В .