Технические параметры транзистора КТ827 Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие. Транзисторы биполярные 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В (составной) структуры n-р-n усилительные, предназначены для использования в выходных каскадах усилителе.
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), V 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс), V 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс, А) 20 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 750 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр, МГц 4.00 Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк, Вт) 125 Корпус KT-9 КТ827А. Структура Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), V Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс), V Макс. напр. к-э при задан.
No. | Partie # | Fabricant | Description | Fiche Technique |
---|---|---|---|---|
1 | KT827 |
ETC |
NPN Transistor | |
2 | KT827A |
ETC |
NPN Transistor | |
3 | KT8225A |
Integral |
NPN Transistor | |
4 | KT8232 |
ETC |
HIGH POWER compound NPN transistor | |
5 | KT8232A |
ETC |
HIGH POWER compound NPN transistor | |
6 | KT8232A1 |
INCHANGE |
NPN Transistor | |
7 | KT8232B |
ETC |
HIGH POWER compound NPN transistor | |
8 | KT8248A |
Integral |
NPN Transistor | |
9 | KT8248A1 |
Integral |
NPN Transistor | |
10 | KT825 |
ETC |
PNP Transistor | |
11 | KT825E |
ETC |
PNP Transistor | |
12 | KT825T |
ETC |
PNP Transistor |