|
Features
|
ения база-эмиттер
Сопротивление резистора эмиттер-база КТ8248А1*1 Емкость коллекторного перехода*1 Вpемя спада *1 Вpемя рассасывания *1 Постоянное прямое напряжение диода КТ8248А1
Обозн.
Uкэо гp.
Iкэк Iэбо
Ед. изм.
B
мА мA
Режимы измеpения
Iк=100mA, Iб=0, L= 40 мГн Uкэк =1500B Uбэ=0 Uэб=7,5B; Iк=0
h21э
Uкэ(нас) Uбэ(нас)
Rэб Ск tсп. tрас. Uпр.
Uкэ=5B, Iк=3A, t и≤ 300 мс, Q≥100 Uкэ=5B, Iк=0,3A, t и≤ 300 мкс, Q≥100 В Iк=3 A, Iб=0,79 А, t и≤ 300 мкс, Q≥100 В Iк=3 A, Iб=0,79 А, t и≤ 300 мкс, Q≥100 Ом Uэб=7,5 В, Iк=0
пФ Uкб=10 В, f=1 МГц мкс Uк=500В, Iк =3 А
IБ1=0,67А, IБ2=-1,3А В Iпр=3 A, t и≤...
|
Click to view a larger image
KT8248A1 Data Sheet
