KT8232A - ETC

KT8232A HIGH POWER compound NPN transistor

КТ8232 А, Б. N-P-N КРЕМНИЕВЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ МОЩ НЫЙ СОСТАВНОЙ ТРАНЗИСТОР Предназначендляприменениявпереключающихиимпульсныхсхемах. Идеально подходитдляэлектронныхсистемзажигания. Имеетвстроенныйдиодвцепиколлектор- эмиттерисхемузащитыотвторичного пробоя, R1 800 Ом, R2 80 Ом. Предельно-допустимыережимыэксплуатации Наименованиепараметра Напряжениеколлектор.

Features

а Напряжениенасыщения коллектор-эмиттер Напряжениенасыщениябазаэмиттер Прямоенапряжениенадиоде Обозна- Единица Величина Режим чение измеренияМин. Макс. измерения UCEO(sus) В 350 500 группаА 250 350 группаБ ICЕO мА 0.1 UCЕ=300 B (А) 0.1 UCЕ=250 B (Б) IЕВO мА 20 UEB=5 B hFE
*
* 300 IC=5 А, UCЕ=10 B UCE(sat)
*
* В IC=8 А, IB=0.1 1.8 1.8 2.0 А IC=10 А, IB=0.25 А IC=12 А, IB=0.3 А UBE(sat)
*
* B IC=8 А, IB=0.1 А 2.2 2.5 2.7 IC=10 А, IB=0.25 А IC=12 А, IB=0.3 А UF B 2.5 IF=10 А
*
* измерениеданныхпараметровпроводитсявимпульсномрежиме: длительность импульсов300 мкс, скважность1.5.