2SA2002 - IDC

2SA2002 Silicon PNP Epitaxial Type Transistor

ÉVÉäÉRÉì PNPÉGÉsÉ^ÉLÉVÉ@Éãå`ÅiÉtÉåÅ|ÉÄÉ^ÉCÉvÅj äTÅ@óv 2SA2002ÇÕÅAé˜éâïïé~å`ÉVÉäÉRÉì PNPÉGÉsÉ^ÉLÉVÉ@Éãå` ÉgÉâÉìÉWÉXÉ^Ç≈Ç∑ÅB∫⁄∏¿ìdó¨Ç™ëÂÇ´Ç≠ VCE(sat)Ç™è¨Ç≥Ç≠ÅA ê›åvÅAêªë¢Ç≥ÇÍǃǮÇËÇ‹Ç∑ÇÃÇ≈ÅAÿ⁄ -ƒfi◊≤ÃfiÅAìdåπÇ‚ÅA 20Å` 40WèoóÕÇÃí·é¸îgìdóÕëùïùäÌÇÃfi◊≤ÃfiópÇ∆ǵǃÅA 2SC5485 Ç∆ÉRÉìÉvÉäÉÅÉìÉ^ÉäÇ≈Ç∑ÅB äOÅ@å`Å@ê} íPà :mm 2SA2002 ëÂìdó¨ÉhÉâÉC 4.0 ì¡Å@í∑ ÅE∫⁄∏¿ìdó¨Ç™ëÂÇ.

Features

ìdãCìIì¡ê´ çÄÅ@Å@ñ⁄ ë™íË è åè ç≈è¨ -25 -4 -20 ïWèÄ ç≈ë íPà V V V ÉA ÉA V MHz G 400Å`800 ÉRÉåÉNÉ^ÅEÉxÅ|ÉXç~ïöìdà≥ I C=-10É A, I E=0 ÉGÉ~ÉbÉ^ÅEÉxÅ|ÉXç~ïöìdà≥ I E=-10É A, I C=0 I C=-100É A, RBE=Åá ÉRÉåÉNÉ^ÅEÉGÉ~ÉbÉ^ç~ïöìdà≥ VCB=-25V, I E=0 ÉRÉåÉNÉ^ǵÇ
·ífìdó¨ ÉGÉ~ÉbÉ^ǵÇ
·ífìdó¨ VEB=-2V, I C=0 VCE=-4V, I C=-100mA íºó¨ìdó¨ëùïùó¶ ÉRÉåÉNÉ^ÅEÉGÉ~ÉbÉ^ñOòaìdà≥ I C=-500mA, I B=-25mA óòìæë—àÊïùêœ VCE=-6V, I E=10mA -1 -1 150 -0.25 180 ITEM hFE E 150Å`300 F 250Å`500 800 -0.5 VCE(sat) fT http://www.Datasheet4U.com http://www.Datasheet4U.com ‰c‹Æ
  –{
•”‰c‹ÆŠé‰æ
•” http://www.idc-com.co.jp
•§ 854-0065.