Q62702-A376 - Siemens Semiconductor Group

Q62702-A376 Silicon Switching Diode Array (For high-speed switching Electrically insulated diodes)

Silicon Switching Diode Array For high-speed switching q Electrically insulated diodes q BAW 100 Type BAW 100 Marking JSs Ordering Code (tape and reel) Q62702-A376 Pin Configuration Package1) SOT-143 Maximum Ratings Parameter Reverse voltage Peak reverse voltage Forward current Surge forward current, t = 1 µs Total power dissipation, TS = 31 ˚C Juncti.

Features

V, TA = 150 ˚C VR = 75 V, TA = 150 ˚C AC characteristics Diode capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time IF = 10 mA, IR = 10 mA, RL = 100 Ω measured at IR = 1 mA Test circuit for reverse recovery time CD trr
  –
  –
  –
  – 2 6 pF ns V(BR) VF
  –
  –
  –
  – IR
  –
  –
  –
  –
  –
  – 1 30 50
  –
  –
  –
  – 715 855 1000 1250 µA Values typ. max. Unit 85
  –
  – V mV Pulse generator: tp = 100 ns, D = 0.05 tr = 0.6 ns, Rj = 50 Ω Oscillograph: R = 50 Ω tr = 0.35 ns C ≤ 1 pF Semiconductor Group 2 BAW 100 Forward current IF = f (TA
*; TS)
* Package mounted on epoxy Reverse current IR = f (TA) Forward current IF .