(IPD) MIP2E3DMS MOS Ta = 25°C±3°C VD VC ID IDP IC Tch Tstg 700 10 1.15 1.60 0.1 150 -55 ∼ +150 V V A A A °C °C DIP7-A1 1: SOURCE 2: SOURCE 3: SOURCE 4: CONTROL 5: DRAIN 6: 7: SOURCE 8: SOURCE : MIP2E3D : 20087 SLB00106AJD 1 MIP2E3DMS TC = 25°C±3°C PWM *1 *1 *2 *2 *2 *2 / *2 *1 .
.7 6.2 6.6
V
10 mV
36 V
0.9 1.0 1.1 0.25 0.1
130 140 2.3 3.3 4.2
A ms ms °C V
8.5 10.0
W
10 250 mA
700 V
0.1 ms
0.1 ms
90 °C/W
2 SLB00106AJD
() TC = 25°C±3°C
) 1.
2.
MIP2E3DMS
SLB00106AJD
3
MIP2E3DMS
() TC = 25°C±3°C
) 3.
*1:
*2:
*3:
*4: 4
SLB00106AJD
(1) 、、 。
(2) 、、 。、 、。
(3) 、(、、、) 。 、、、 - (、、、、、) 、。 。
(4) 、。 、、、、、 。
(5) 、、(、) 。、、、 。、 、。 、、、、 、、、、 。
(6) 、(ESD、EOS、、) 、。 、、、、 。
(7) 、。
IPD
1) 、Power Integrations ()、 IPD / 。、、「IPD」。
2) IPD 、、 。
、IPD 、。
3) IPD 、、、 IPD 。
4) 、2)、3)、、 IPD 、 。
)、MIP50
*
*、MIP51
*
*、MIP7
*
*、1) 3) 。
「IPD」
/ /
MIP01
*
* MIP2
*
* MIP9A
*
*
.
No. | Partie # | Fabricant | Description | Fiche Technique |
---|---|---|---|---|
1 | MIP2E3DMU |
Panasonic |
Silicon MOSFET | |
2 | MIP2E3DMY |
Panasonic |
Silicon MOSFET | |
3 | MIP2E3D |
Matsushita |
High-Performance IPD for Battery Chaegers | |
4 | MIP2E1D |
Matsushita |
High-Performance IPD for Battery Chaegers | |
5 | MIP2E1DMC |
Panasonic |
IPD | |
6 | MIP2E1DMS |
Panasonic |
Silicon MOS-type integrated circuit | |
7 | MIP2E1DMTSCF |
Panasonic |
Silicon MOSFET | |
8 | MIP2E1DMU |
Panasonic |
Silicon MOS-type integrated circuit | |
9 | MIP2E2D |
Matsushita |
High-Performance IPD for Battery Chaegers | |
10 | MIP2E2DMU |
Panasonic |
IPD | |
11 | MIP2E2DMY |
Panasonic |
Silicon MOSFET | |
12 | MIP2E4D |
Matsushita |
High-Performance IPD |