MIP2E1DMU MOS (IPD) ■ • • ■ • ■ Ta = 25°C ± 3°C VD 700 VC 10 ID 0.43 IDP 0.61 IC 0.1 Tch 150 Tstg −55 ∼ +150 V V A A A °C °C ■ • U-G4 • 1: Control 2: Source 3: Drain ■ : MIP2E1D ■ Control 1 Max Duty Clock Sawtooth SQ RQ SQ V-I R Q : 2010 3 SLB00036BJD 3 Drain MOSFET 2 Source 1 MIP2E1DMU ■ TC = 25°C ± 2°C PWM / ) *: * * fOSC MAXDC GPWM m VC =.
/W
110 °C/W
2 SLB00036BJD
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IPD
1) 、Power Integrations ()、 IPD / 。、、「IPD」。
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*
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*
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*
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「IPD」
/ /
MIP01
*
* MIP2
*
* MIP9A
*
*
MIP02
*
* MIP3
*
* MIP9L
*
*
MIP1
*
* MIP4
*
*
DC-DC
(50%)
MIP00
*
* MIP55
*
* MIP816/826
MIP50
*
*
MIP52
*
* MIP56
*
* MIP9E
*
*
MIP51
*
*
MIP53
*
* MIP803/804
(50%)
MIP7
*
*
) 、。
EL LED
/
20130322
.
No. | Partie # | Fabricant | Description | Fiche Technique |
---|---|---|---|---|
1 | MIP2E1DMC |
Panasonic |
IPD | |
2 | MIP2E1DMS |
Panasonic |
Silicon MOS-type integrated circuit | |
3 | MIP2E1DMTSCF |
Panasonic |
Silicon MOSFET | |
4 | MIP2E1D |
Matsushita |
High-Performance IPD for Battery Chaegers | |
5 | MIP2E2D |
Matsushita |
High-Performance IPD for Battery Chaegers | |
6 | MIP2E2DMU |
Panasonic |
IPD | |
7 | MIP2E2DMY |
Panasonic |
Silicon MOSFET | |
8 | MIP2E3D |
Matsushita |
High-Performance IPD for Battery Chaegers | |
9 | MIP2E3DMS |
Panasonic |
Silicon MOS-type integrated circuit | |
10 | MIP2E3DMU |
Panasonic |
Silicon MOSFET | |
11 | MIP2E3DMY |
Panasonic |
Silicon MOSFET | |
12 | MIP2E4D |
Matsushita |
High-Performance IPD |