IRFP32N50KPBF - International Rectifier

IRFP32N50KPBF HEXFET Power MOSFET

PD - 95052 IRFP32N50KPbF Applications l Switch Mode Power Supply (SMPS) l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits l Lead-Free l SMPS MOSFET VDSS 500V HEXFET® Power MOSFET RDS(on)typ. 0.135Ω ID 32A www.DataSheet4U.com Benefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved.

Features

°C 10lb
*in (1.1N
*m) Avalanche Characteristics Symbol EAS IAR EAR Parameter Single Pulse Avalanche Energy‚ Avalanche Current Repetitive Avalanche Energy Typ.
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  – Max. 450 32 46 Units mJ A mJ Thermal Resistance Symbol RθJC RθCS RθJA Parameter Junction-to-Case Case-to-Sink, Flat, Greased Surface Junction-to-Ambient Typ.
  –
  –
  – 0.24
  –
  –
  – Max. 0.26
  –
  –
  – 40 Units °C/W www.irf.com 1 2/26/04 IRFP32N50KPbF Static @ TJ = 25°C (unless otherwise specified) Symbol V(BR)DSS ∆V(BR)DSS/∆TJ RDS(on) VGS(th) IDSS www.DataSheet4U.com IGSS Parameter Drain-to-Source Breakdown Voltage Breakdown V.