F60W60CP - SHINDENGEN

F60W60CP Power MOSFET

PowerMOSFET F60W60CP 600V60A Feature LowRON FastSwitching ■ OUTLINE Package：MTO-3P ϩοτ‫߸ه‬ʢྫʣ  %BUF DPEF ؅ཧ൪߸ʢྫʣ $POUSPM /P ඼໊ 5ZQF /P 0000 60W60CP   ᶆ Unit：mm  ᶃᶄᶅ ᶃ( ᶄ% ᶅ 4 ᶆ% Web。 。 Fordetailsoftheoutlinedimensions,referto ourweb site.Asforthe marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection". ■ RATINGS ● Absol.

Features

te-SourceLeakageCurrent IGSS VGS＝ ±30V,VDS＝0V ForwardTransconductance gfs ID＝ 30A,VDS＝10V StaticDrain-SourceOn-stateResistance R（DS）ON ID＝ 30A,VGS＝10V GateThressholdVoltage VTH ID＝ 3mA,VDS＝10V Source-DrainDiodeForwadeVoltage VSD IS＝ 30A,VGS＝0V ThermalResistance θjc Junctiontocase TotalGateCharge Qg VGS＝10V,ID＝ 60A,VDD＝400V InputCapacitance Ciss ReverseTransferCapacitance Crss VDS＝ 100V,VGS＝0V,f＝1MHz OutputCapacitance Coss Turn-ondelaytime td（on） Risetime tr ID＝ 30A,VDD＝150V,RL＝ 5Ω Turn-offdelaytime td（off） VGS（＋）＝ 10V,VGS（－）＝ 0V Falltime tf Ratings.