BSM75GB120DLC - eupec

BSM75GB120DLC IGBT Module

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM75GB120DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current G.

Features

tor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 75A, V GE = 15V, Tvj = 25°C IC = 75A, V GE = 15V, Tvj = 125°C IC = 3mA, V CE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) VCE sat min. 4,5 typ. 2,1 2,4 5,5 max. 2,6 2,9 6,5 V V V VGE = -15V...+15V QG - 0,8 - µC f = 1MHz,Tvj = 25°C,V CE = 25V, V GE = 0V Cies - 5,1.