BSM50GP120 - eupec GmbH

BSM50GP120 IGBT-Modules

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GP120 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom Grenzeffektivwert RMS forward current per chip Dauergleic.

Features

erter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral I2t - value Tc = 80 °C tP = 1 ms VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C IF IFRM 2 It VCES Tc = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 25°C T C = 80 °C IC,nom. IC ICRM Ptot VGES 1200 50 80 100 360 +/- 20V V A A A W V 50 100 1.200 A A A2s Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung tota.