BSM50GD170DL - eupec

BSM50GD170DL IGBT

European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 50 GD 170 DL 118.11 94.5 119 121.5 99.9 4 x 19.05 = 76.2 19.05 3.81 19 18 17 16 15 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 3.81 15.24 1.15x1.0 5 x 15.24 =76.2 110 connections to be made externally 21 13 1 2 3 4 20 59 6 10 19 17 15 7 11 8 12 14 01.07.1998 BSM 50 GD 170 DL Höchstzu.

Features

, tp = 10ms, TVj = 125°C RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung Gate-Schwellenspannung Eingangskapazität Kollektor-Emitter Reststrom Gate-Emitter Reststrom Einschaltverzögerungszeit (induktive Last) Anstiegszeit (induktive Last) Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) Fallzeit (induktive Last) Einschaltverlustenergie pro Puls Abschaltverlustenergie pro Puls Kurzschlußverhalten Modulinduktivität collector-emitter saturation voltage gate threshold voltage input capacitance collector-emitter cut-off current gate-.