BSM50GD170DL |
Part Number | BSM50GD170DL |
Manufacturer | eupec |
Description | European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 50 GD 170 DL 118.11 94.5 119 121.5 99.9 4 x 19.05 = 76.2 19.05 3.81 19 18 17 16 15 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 3.81 15.... |
Features |
, tp = 10ms, TVj = 125°C RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung Gate-Schwellenspannung Eingangskapazität Kollektor-Emitter Reststrom Gate-Emitter Reststrom Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)
Anstiegszeit (induktive Last)
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
Fallzeit (induktive Last)
Einschaltverlustenergie pro Puls Abschaltverlustenergie pro Puls Kurzschlußverhalten
Modulinduktivität
collector-emitter saturation voltage gate threshold voltage input capacitance collector-emitter cut-off current gate-... |
Document |
BSM50GD170DL Data Sheet
PDF 103.18KB |
Distributor | Stock | Price | Buy |
---|
No. | Partie # | Fabricant | Description | Fiche Technique |
---|---|---|---|---|
1 | BSM50GD120DLC |
eupec |
IGBT | |
2 | BSM50GD120DN2 |
Siemens Semiconductor Group |
IGBT | |
3 | BSM50GD120DN2E3226 |
Siemens Semiconductor Group |
IGBT | |
4 | BSM50GD120DN2G |
Siemens Semiconductor Group |
IGBT | |
5 | BSM50GD120DN2G |
eupec |
IGBT |