logo

Numonyx M58 DataSheet

No. Partie # Fabricant Description Fiche Technique
1
M58BW016DT

Numonyx
16 Mbit 3V supply Flash memories
Supply voltage
  – VDD = 2.7 V to 3.6 V for program, erase and read
  – VDDQ = VDDQIN = 2.4 V to 3.6 V for I/O buffers
  – VPP = 12 V for fast program (optional) High performance
  – Access times: 70, 80 ns
  – 56 MHz effective zero wait-state burst read
  – Syn
Datasheet
2
M58BW016FT

Numonyx
16 Mbit 3V supply Flash memories
Supply voltage
  – VDD = 2.7 V to 3.6 V for program, erase and read
  – VDDQ = VDDQIN = 2.4 V to 3.6 V for I/O buffers
  – VPP = 12 V for fast program (optional) High performance
  – Access times: 70, 80 ns
  – 56 MHz effective zero wait-state burst read
  – Syn
Datasheet
3
M58BW016DB

Numonyx
16 Mbit 3V supply Flash memories
Supply voltage
  – VDD = 2.7 V to 3.6 V for program, erase and read
  – VDDQ = VDDQIN = 2.4 V to 3.6 V for I/O buffers
  – VPP = 12 V for fast program (optional) High performance
  – Access times: 70, 80 ns
  – 56 MHz effective zero wait-state burst read
  – Syn
Datasheet
4
M58BW016FB

Numonyx
16 Mbit 3V supply Flash memories
Supply voltage
  – VDD = 2.7 V to 3.6 V for program, erase and read
  – VDDQ = VDDQIN = 2.4 V to 3.6 V for I/O buffers
  – VPP = 12 V for fast program (optional) High performance
  – Access times: 70, 80 ns
  – 56 MHz effective zero wait-state burst read
  – Syn
Datasheet
5
M58LR256KT

Numonyx
(M58LRxxxKx) 128 or 256 Mbit 1.8 V supply Flash memories

■ Supply voltage
  – VDD = 1.7 V to 2.0 V for program, erase and read
  – VDDQ = 1.7 V to 2.0 V for I/O buffers
  – VPP = 9 V for fast program Synchronous/asynchronous read
  – Synchronous burst read mode: 54 MHz, 66 MHz
  – Asynchronous page read mode
  – Rand
Datasheet
6
M58LR128KT

Numonyx
(M58LRxxxKx) 128 or 256 Mbit 1.8 V supply Flash memories

■ Supply voltage
  – VDD = 1.7 V to 2.0 V for program, erase and read
  – VDDQ = 1.7 V to 2.0 V for I/O buffers
  – VPP = 9 V for fast program Synchronous/asynchronous read
  – Synchronous burst read mode: 54 MHz, 66 MHz
  – Asynchronous page read mode
  – Rand
Datasheet
7
M58LR128KB

Numonyx
(M58LRxxxKx) 128 or 256 Mbit 1.8 V supply Flash memories

■ Supply voltage
  – VDD = 1.7 V to 2.0 V for program, erase and read
  – VDDQ = 1.7 V to 2.0 V for I/O buffers
  – VPP = 9 V for fast program Synchronous/asynchronous read
  – Synchronous burst read mode: 54 MHz, 66 MHz
  – Asynchronous page read mode
  – Rand
Datasheet
8
M58LR256KB

Numonyx
(M58LRxxxKx) 128 or 256 Mbit 1.8 V supply Flash memories

■ Supply voltage
  – VDD = 1.7 V to 2.0 V for program, erase and read
  – VDDQ = 1.7 V to 2.0 V for I/O buffers
  – VPP = 9 V for fast program Synchronous/asynchronous read
  – Synchronous burst read mode: 54 MHz, 66 MHz
  – Asynchronous page read mode
  – Rand
Datasheet



Depuis 2018 :: D4U Semiconductor :: (Politique de confidentialité et contact