KT8159B - Integral

KT8159B PNP Transistor

КТ8159 p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный составной транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона). Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты, в ключевых и линейных схемах, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототипы .

Features

Время задержки Обозначение Uкэо гp. Iкбo Iэбо h21е Uкэ(нас) tвкл.
* tсп.
* tзд.
* Ед. Режимы измеpения изм. B Iк=30mA, Iб=0 мА Uкб=Uкб max, Iэ=0 мA Uэб=-5B, Iк=0 Uкэ=-4B, Iэ=-5A В Iк=-5A, Iб=-20мA мкс Iк=-5А, Iб1=-20мА, Iб2=-20мА, Uкэ=-16В Min Max -60 -80 -100 1000 -0,4 -5,0 -2,0 0,5 2,5 1,1
* Спpавочные паpаметpы Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ8158 Параметры Напряжение коллектор-база КТ8159А КТ8159Б КТ8159В Напpяжение коллектоp-эмиттеp: КТ8159А КТ8159Б КТ8159В Напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора (t.