КТ8156 n-p-n составной биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона) с интегральными демпфирующим и базо-эмиттерным ускоряющими диодами. Предназначены для работы в выходных ступенях горизонтальной развертки малогабаритных черно-белых электроннолучевых трубок, а также в блоках и.
.
No. | Partie # | Fabricant | Description | Fiche Technique |
---|---|---|---|---|
1 | KT815 |
Integral |
NPN Transistor | |
2 | KT8159 |
Integral |
PNP Transistor | |
3 | KT8159A |
Integral |
PNP Transistor | |
4 | KT8159B |
Integral |
PNP Transistor | |
5 | KT815A |
Integral |
Transistors | |
6 | KT815A |
INCHANGE |
NPN Transistor | |
7 | KT815B |
ETC |
NPN Transistor | |
8 | KT8101A |
ETC |
NPN Transistor | |
9 | KT8101B |
ETC |
NPN Transistor | |
10 | KT8102A |
ETC |
PNP Transistor | |
11 | KT8102B |
ETC |
PNP Transistor | |
12 | KT8107A |
ETC |
NPN Transistor |