KT815 - Integral

KT815 NPN Transistor

КТ815 n-p-n кремниевый биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототипы • • • Прототип КТ815Б - BD135 Прототип КТ815В - BD137 Прототип КТ815Г - BD139 Особенности • • .

Features

яжение колл-эмит КТ815А, А9 КТ815Б, Б9 КТ815В, В9 КТ815Г, Г9 Обратный ток коллектора КТ815А, А9, Б, Б9 КТ815В, В9, Г, Г9 Обратный ток коллектор-эмиттер КТ815А, А9, Б, Б9 КТ815В, В9, Г, Г9 Статический коэффициент передачи тока КТ815А, А9, Б, Б9, В, В9 КТ815Г, Г9 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Обозначение Uкэо гp. Ед. измеp B Режимы измеpения Iэ=50mA, tи=0,3 - 1 мс Min 30 45 65 85 50 50 100 100 40 30 275 275 0,6 Max Iкбо Iкэr мкА Uкэ=50 В Uкэ=65 В мкА Uкэ=50 В, Rбэ≤100 Ом Uкэ=65 В, Rбэ≤100 Ом h21э Uкэ нас В Uкб=2 B, Iэ=0,15A Iк=0,5 A, Iб=50 мA Таблица 2. Предельно допустимые электри.