КТ8107А, КТ8107Б, КТ8107В, КТ8107Г, КТ8107Д, КТ8107Е, КТ8107А2, КТ8107Б2, КТ8107В2, КТ8107Г2, КТ8107Д2, КТ8107Е2 Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п переключательные. Предназначены для применения в схемах строчной развертки телевизионных приемников. Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами КТ8107А2—КТ.
...... 2,3 Граничное напряжение при /к = 0,1 А, не менее.. 700 В Напряжение насыщения коллектор— эмиттер, не более: КТ8107А, КТ8107А2, КТ8107В, КТ8107В2 при /к = 4,5 А, /Б= 2 А ..... 1 В КТ8107Б, КТ8107Б2, КТ8107Г, КТ8107Г2 при /к = 4,5 А, /Б = 2 А ..... 3 В КТ8107Д, КТ8107Д2, КТ8107Е, КТ8107Е2 при /к = 2,5 А, /Б= 1 А ..... 1 В Время рассасывания при (/кэ = 500 В, /к = 4,5 А, 4 = 1,4 А, не более...... ..... 3,5 мкс Время спада п.
No. | Partie # | Fabricant | Description | Fiche Technique |
---|---|---|---|---|
1 | KT8107A2 |
ETC |
NPN Transistor | |
2 | KT8107B |
ETC |
NPN Transistor | |
3 | KT8107B2 |
ETC |
NPN Transistor | |
4 | KT8107E |
ETC |
NPN Transistor | |
5 | KT8107E2 |
ETC |
NPN Transistor | |
6 | KT8101A |
ETC |
NPN Transistor | |
7 | KT8101B |
ETC |
NPN Transistor | |
8 | KT8102A |
ETC |
PNP Transistor | |
9 | KT8102B |
ETC |
PNP Transistor | |
10 | KT8115 |
INTEGRAL |
PNP Transistor | |
11 | KT8115A |
ETC |
PNP Transistor | |
12 | KT812 |
ETC |
NPN Transistor |