IRFS31N20D - IRF

IRFS31N20D Power MOSFET

PD- 93805B SMPS MOSFET IRFB31N20D IRFS31N20D IRFSL31N20D HEXFET® Power MOSFET Applications l High frequency DC-DC converters VDSS 200V RDS(on) max 0.082Ω ID 31A Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) TO-220AB l Fully Characterize.

Features

ns °C Typical SMPS Topologies l Telecom 48V Input Forward Converters Notes  through ‡ are on page 11 www.irf.com 1 2/14/00 IRFB/IRFS/IRFSL31N20D Static @ TJ = 25°C (unless otherwise specified) Parameter Drain-to-Source Breakdown Voltage ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance VGS(th) Gate Threshold Voltage V(BR)DSS IDSS IGSS Drain-to-Source Leakage Current Gate-to-Source Forward Leakage Gate-to-Source Reverse Leakage Min. 200
  –
  –
  –
  –
  –
  – 3.0
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  – Typ.
  –
  –
  – 0.25
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  – Max. Units Conditions
  –
  –
  – V VGS = 0V, ID =.