IRFS31N20DPBF - International Rectifier

IRFS31N20DPBF Power MOSFET

PD - 94946 SMPS MOSFET Applications l High Frequency DC-DC converters l Lead-Free VDSS 200V IRFB31N20DPbF IRFS31N20DPbF IRFSL31N20DPbF HEXFET® Power MOSFET RDS(on) max ID 0.082Ω 31A Benefits l Low Gate to Drain to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design,(See AN 1001) l Fully Characterized.

Features

Units A W W/°C V V/ns °C Applicable Off Line SMPS Topologies l Telecom 48V Input DC/DC Active Clamp Reset Forward Converter Notes  through † are on page 11 www.irf.com 1 3/1/04 IRFB/S/SL31N20DPbF Static @ TJ = 25°C (unless otherwise specified) Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 200
  –
  –
  –
  –
  –
  – V ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient
  –
  –
  – 0.25
  –
  –
  – V/°C RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance
  –
  –
  –
  –
  –
  – 0.082 Ω VGS(th) Gate Threshold Voltage 3.0
  –
  –
  – 5.5 V IDSS Drain-to-Source Leakage Current
  –
  –
  –
  –
  –
  – 25 µA
  –
  –
  –
  –
  –
  – 250 .