BSM25GD120DLCE3224 - eupec GmbH

BSM25GD120DLCE3224 IGBT-Module

www.DataSheet4U.com Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM25GD120DLCE3224 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitiv.

Features

tor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 25A, VGE = 15V, Tvj = 25°C IC = 25A, VGE = 15V, Tvj = 125°C IC = 1mA, VCE = VGE, T vj = 25°C VGE(th) VCE sat min. 4,5 typ. 2,1 2,4 5,5 max. 2,6 2,9 6,5 V V V VGE = -15V...+15V QG - 0,26 - µC f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VG.