BSM200GB170DLC - eupec

BSM200GB170DLC IGBT

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GB 170 DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Tvj = 25°C Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current TC = 80 °C TC = 25 °C Periodischer Kollektor Spi.

Features

Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage IC = 200A, VGE = 15V, Tvj = 25°C IC = 200A, VGE = 15V, Tvj = 125°C Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage IC = 9mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung gate charge VGE = -15V ... +15V Eingangskapazität input capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current .