|
Features
|
а
Напряжениенасыщения коллектор-эмиттер
Напряжениенасыщениябазаэмиттер
Прямоенапряжениенадиоде
Обозна- Единица Величина Режим чение измеренияМин. Макс. измерения
UCEO(sus)
В
350 500 группаА 250 350 группаБ
ICЕO
мА
0.1 UCЕ=300 B (А) 0.1 UCЕ=250 B (Б)
IЕВO
мА
20 UEB=5 B
hFE**
300 IC=5 А, UCЕ=10 B
UCE(sat)**
В
IC=8 А, IB=0.1
1.8 1.8 2.0
А IC=10 А, IB=0.25 А IC=12 А, IB=0.3
А
UBE(sat)**
B
IC=8 А, IB=0.1
А
2.2 2.5 2.7
IC=10 А, IB=0.25 А IC=12 А, IB=0.3
А
UF B
2.5 IF=10 А
** измерениеданныхпараметровпроводитсявимпульсномрежиме: длительность импульсов300 мкс, скважность1.5...
|
Click to view a larger image
KT8232B Data Sheet
