Q62702-A95 - Siemens Semiconductor Group

Q62702-A95 Silicon Switching Diodes (High-speed/ high-voltage switch)

Silicon Switching Diodes BAS 19 … BAS 21 q High-speed, high-voltage switch Type BAS 19 BAS 20 BAS 21 Marking JPs JRs JSs Ordering Code (tape and reel) Q62702-A95 Q62702-A113 Q62702-A79 Pin Configuration Package1) SOT-23 Maximum Ratings Parameter Reverse voltage Peak reverse voltage Forward current Peak forward current Total power dissipation, TS = 7.

Features

IR
  –
  –
  –
  – 100 100 nA µA
  –
  – 1 1.25 120 200 250
  –
  –
  –
  –
  –
  – V Values typ. max. Unit Forward voltage IF = 100 mA IF = 200 mA Reverse current VR = VR max VR = VR max; Tj = 150 ˚C AC characteristics Diode capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time IF = 30 mA, IR = 30 mA, RL = 100 Ω measured at IR = 3 mA Test circuit for reverse recovery time CD trr
  –
  –
  –
  – 5 50 pF ns Pulse generator: tp = 100 ns, D = 0.05 tr = 0.6 ns, Rj = 50 Ω Oscillograph: R = 50 Ω tr = 0.35 ns C ≤ 1 pF 1) Pulse test: tp ≤ 300 µs, D = 2 %. Semiconductor Group 2 BAS 19 … BAS 21 Forward current IF = f (.