Q62702-A912 - Siemens Semiconductor Group

Q62702-A912 Silicon Switching Diodes (Switching applications High breakdown voltage)

Silicon Switching Diodes BAS 78 A … BAS 78 D Switching applications q High breakdown voltage q Type BAS 78 A BAS 78 B BAS 78 C BAS 78 D Marking BAS 78 A BAS 78 B BAS 78 C BAS 78 D Ordering Code (tape and reel) Q62702-A910 Q62702-A911 Q62702-A912 Q62702-A913 Pin Configuration Package1) SOT-223 Maximum Ratings Parameter Symbol BAS 78 A Reverse voltage .

Features

otherwise specified. Parameter Symbol min. DC characteristics Breakdown voltage I(BR) = 100 µA V(BR) BAS 78 A BAS 78 B BAS 78 C BAS 78 D VF
  –
  – IR
  –
  –
  –
  – 1 50
  –
  – 1.6 2 µA Values typ. max. Unit V 50 100 200 400
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  – Forward voltage1) IF = 1 A IF = 2 A Reverse current VR = VR max VR = VR max, TA = 150 ˚C AC characteristics Diode capacitance VR = 0, f = 1 MHz Reverse recovery time IF = 200 mA, IR = 200 mA, RL = 100 Ω measured at IR = 20 mA CD trr
  –
  – 10 1
  –
  – pF µs Test circuit for reverse recovery time Pulse generator: tp = 5 µs, D = 0.05 tr = 0.6 ns, Rj = 50 Ω Vp = VR +.