PZTA63 - Siemens Semiconductor Group

PZTA63 PNP Silicon Darlington Transistors

PNP Silicon Darlington Transistors PZTA 63 PZTA 64 For general AF applications q High collector current q High current gain q Complementary types: PZTA 13, PZTA 14 (NPN) q Type PZTA 63 PZTA 64 Marking PZTA 63 PZTA 64 Ordering Code (tape and reel) Q62702-Z2031 Q62702-Z2032 Pin Configuration 1 2 3 4 B C E C Package1) SOT-223 Maximum Ratings Parameter C.

Features

ics at TA = 25 ˚C, unless otherwise specified. Parameter Symbol min. DC characteristics Collector-emitter breakdown voltage IC = 100 µA Collector-base breakdown voltage IC = 100 µA, IB = 0 Emitter-base breakdown voltage IE = 10 µA, IC = 0 Collector-base cutoff current VCE = 30 V, IE = 0 VCE = 30 V, IE = 0, TA = 150 ˚C Emitter-base cutoff current VEB = 10 V, IC = 0 DC current gain IC = 10 mA, VCE = 5 V IC = 100 mA, VCE = 5 V PZTA 63 PZTA 64 PZTA 63 PZTA 64 VCEsat VBEsat V(BR)CES V(BR)CB0 V(BR)EB0 ICB0
  –
  – IEB0 hFE 5000 10000 10000 20000
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  – 1.5 2.0 V
  –
  –
  –
  – 100 10 100 nA µA.