K 1. ・ 。 2. 200kg/mm2 。 3. IC 、 。 DC5V 10mA 50m Ω AC300V 1 100M Ω 1000 -30 ~ +85℃ -30 ~ +85℃ 7.9N MAX 2 K S P PA P () OFF 8 22 32 42 52 62 72 82 92 102 2 2 3 4 5 6 7 8 9 10 — S S ※。 K-1 -30Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/ K PPS PPS M.
4.6 17.2 19.7 22.3 24.8 27.3
ℓ(mm) — 2.5 5.1 7.6 10.2 12.7 15.2 17.8 20.3 22.9
K-3
-32Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
●
K
400 ± 10℃ 4 ± 1 100 〜 105℃ 30 ± 5 265 ± 3℃ 8 ± 2
160 〜 190℃ 90 〜 120 225℃ 20 〜 60 () 260℃
●
1. 、 OFF 。→→。 2. 、、、、。、、 、、。
2 3 4 5 6 7 8 9 10 1 60 45 35 30 25 20 20 15 15 1,800 1,350 1,050 900 750 600 600 450 450
※1 30。
-33-
K-4
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
.
No. | Partie # | Fabricant | Description | Fiche Technique |
---|---|---|---|---|
1 | KSP10 |
BLUE ROCKET ELECTRONICS |
Silicon NPN transistor | |
2 | KSP10 |
Fairchild Semiconductor |
VHF/UHF transistor | |
3 | KSP13 |
Fairchild Semiconductor |
Darlington Transistor | |
4 | KSP14 |
Fairchild Semiconductor |
Darlington Transistor | |
5 | KSP-1MLR2 |
KODENSHI KOREA CORP |
Silicon Photodiode Mounted | |
6 | KSP05 |
Fairchild Semiconductor |
Amplifier Transistor | |
7 | KSP05 |
Samsung semiconductor |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | |
8 | KSP06 |
Fairchild Semiconductor |
Amplifier Transistor | |
9 | KSP06 |
Samsung semiconductor |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | |
10 | KSP22 |
OTAX |
Dip Switch | |
11 | KSP2222 |
Fairchild Semiconductor |
General Purpose Transistor | |
12 | KSP2222A |
Fairchild Semiconductor |
NPN Amplifier |