IRFR220N - International Rectifier

IRFR220N Power MOSFET

SMPS MOSFET PD- 95063A IRFR220NPbF IRFU220NPbF HEXFET® Power MOSFET Applications l High frequency DC-DC converters l Lead-Free VDSS RDS(on) max (mΩ) ID 200V 600 5.0A Benefits l Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) l Fully Characterized .

Features

f.com 1 12/10/04 IRFR/U220NPbF Static @ TJ = 25°C (unless otherwise specified) Parameter V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient RDS(on) VGS(th) Static Drain-to-Source On-Resistance Gate Threshold Voltage IDSS Drain-to-Source Leakage Current Gate-to-Source Forward Leakage IGSS Gate-to-Source Reverse Leakage Min. Typ. Max. Units Conditions 200
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  – 0.23
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  – 600 2.0
  –
  –
  – 4.0 V V/°C mΩ V VGS = 0V, ID = 250µA Reference to 25°C, ID = 1mA „ VGS = 10V, ID = 2.9A „ VDS = VGS, ID = 250µA
  –
  –
  –
  –
  –
  – 25
  –
  –
  –
  –
  –
  – 250 µA VDS.