IRFP450A - International Rectifier

IRFP450A Power MOSFET

PD -91884 SMPS MOSFET IRFP450A HEXFET® Power MOSFET Applications l Switch Mode Power Supply ( SMPS ) l Uninterruptable Power Supply l High speed power switching Benefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current l Effect.

Features

l l l Two Transistor Forward Half Bridge, Full Bridge PFC Boost through … are on page 8 Notes  www.irf.com 1 6/23/99 IRFP450A Static @ TJ = 25°C (unless otherwise specified) Parameter Min. Drain-to-Source Breakdown Voltage 500 ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient
  –
  –
  – RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance
  –
  –
  – VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0
  –
  –
  – IDSS Drain-to-Source Leakage Current
  –
  –
  – Gate-to-Source Forward Leakage
  –
  –
  – IGSS Gate-to-Source Reverse Leakage
  –
  –
  – V(BR)DSS Typ.
  –
  –
  – 0.58
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  – Max. Units Conditions
  –
  –
  – V VGS = 0V, ID = 250µA
  –
  –
  – V/°C Refe.