IRFBC40AS - International Rectifier

IRFBC40AS Power MOSFET

PD- 91897A SMPS MOSFET IRFBC40AS HEXFET® Power MOSFET Applications Switch Mode Power Supply ( SMPS ) l Uninterruptable Power Supply l High speed power switching l VDSS 600V Rds(on) max 1.2 Ω ID 6.2A Benefits l Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitanc.

Features

e on page 9 www.irf.com 1 6/29/99 IRFBC40AS Static @ TJ = 25°C (unless otherwise specified) Parameter Min. Drain-to-Source Breakdown Voltage 600 ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient
  –
  –
  – RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance
  –
  –
  – VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0
  –
  –
  – IDSS Drain-to-Source Leakage Current
  –
  –
  – Gate-to-Source Forward Leakage
  –
  –
  – IGSS Gate-to-Source Reverse Leakage
  –
  –
  – V(BR)DSS Typ.
  –
  –
  – 0.66
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  – Max. Units Conditions
  –
  –
  – V VGS = 0V, ID = 250µA
  –
  –
  – V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA† 1.2 Ω VGS = 10V, ID = 3.7A „ 4.0 V VDS = VGS, ID = 250µA 25 .