IRFBC40APBF - International Rectifier

IRFBC40APBF HEXFET Power MOSFET

SMPS MOSFET PD - 94986 IRFBC40APbF HEXFET® Power MOSFET Applications l Switch Mode Power Supply ( SMPS ) l Uninterruptable Power Supply l High speed power switching l Lead-Free Benefits l Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and.

Features

MPS Topologies: l Single Transistor Forward Notes  through … are on page 8 www.irf.com 1 2/5/04 IRFBC40APbF V(BR)DSS Static @ TJ = 25°C (unless otherwise specified) Parameter Min. Drain-to-Source Breakdown Voltage 600 ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient
  –
  –
  – RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance
  –
  –
  – VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0
  –
  –
  – IDSS Drain-to-Source Leakage Current
  –
  –
  – Gate-to-Source Forward Leakage
  –
  –
  – IGSS Gate-to-Source Reverse Leakage
  –
  –
  – Typ.
  –
  –
  – 0.66
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  – Max. Units Conditions
  –
  –
  – V VGS = 0V, ID = 250µA
  –
  –
  – V/°C Reference to 25°C, I.