IRFBA34N50C - International Rectifier

IRFBA34N50C Power MOSFET

PD- 93931 PROVISIONAL IRFBA34N50C HEXFET® Power MOSFET SMPS MOSFET Applications l Switch Mode Power Supply (SMPS) l UninterruptIble Power Supply l High Speed Power Switching Benefits l Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Cu.

Features

ergy‚ Avalanche Current Repetitive Avalanche Energy Typ.
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  – Max. 480 34 31 Units mJ A mJ Thermal Resistance Symbol RθJC RθCS RθJA Parameter Junction-to-Case Case-to-Sink, Flat, Greased Surface Junction-to-Ambient Typ.
  –
  –
  – 0.50
  –
  –
  – Max. 0.40
  –
  –
  – 58 Units °C/W www.irf.com 1 6/2/00 Free Datasheet http://www.datasheetlist.com/ IRFBA34N50C Symbol V(BR)DSS ∆V(BR)DSS/∆TJ PROVISIONAL Static @ TJ = 25°C (unless otherwise specified) Parameter Drain-to-Source Breakdown Voltage Breakdown Voltage Temp. Coefficient Static Drain-to-Source On-Resistance Gate Threshold Voltage Drain-to.