IRFBA31N50L - International Rectifier

IRFBA31N50L HEXFET Power MOSFET

PD- 93925 PROVISIONAL IRFBA31N50L HEXFET® Power MOSFET SMPS MOSFET Applications Telecom and Data-Com off-Line SMPS l Motor Control l UninterruptIble Power Supply Benefits l Low On-Resistance l High Speed Switching l Low Gate Drive Current Due to Improved Gate Charge Characteristics l Built in Fast Recovery Diode l Improved Avalanche Ruggedness and Dynamic .

Features

ISM VSD trr Qrr ton Parameter Continuous Source Current (Body Diode) Pulsed Source Current (Body Diode)  Diode Forward Voltage Reverse Recovery Time Reverse RecoveryCharge Forward Turn-On Time Min. Typ. Max. Units Conditions D MOSFET symbol 31
  –
  –
  –
  –
  –
  – showing the A G integral reverse
  –
  –
  –
  –
  –
  – 124 S p-n junction diode.
  –
  –
  –
  –
  –
  – 1.5 V TJ = 25°C, IS = 31A, VGS = 0V „
  –
  –
  – 180
  –
  –
  – ns TJ = 125°C, IF = 31A
  –
  –
  – 800
  –
  –
  – nC di/dt = 100A/µs „ Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) Typical SMPS Topologies l Zero Voltage Switching Full and Half Bridge Circuits www.irf.co.