IRFB16N50K - International Rectifier

IRFB16N50K Power MOSFET

PD - 95855 SMPS MOSFET IRFB16N50K Applications l Switch Mode Power Supply (SMPS) l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits Benefits l Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanche Volt.

Features

valanche Characteristics Parameter dEAS Single Pulse Avalanche Energy ÃcIAR Avalanche Current cEAR Repetitive Avalanche Energy Typ.
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  – Max. 310 17 28 Units mJ A mJ Thermal Resistance Parameter RθJC RθCS Junction-to-Case Case-to-Sink, Flat, Greased Surface RθJA Junction-to-Ambient www.irf.com Typ.
  –
  –
  – 0.50
  –
  –
  – Max. 0.44
  –
  –
  – 62 Units °C/W 1 03/11/04 IRFB16N50K Static @ TJ = 25°C (unless otherwise specified) Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 500
  –
  –
  –
  –
  –
  – V VGS = 0V, ID = 250µA ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coef.