IRFB13N50APBF - International Rectifier

IRFB13N50APBF SMPS MOSFET

SMPS MOSFET PD - 95122 IRFB13N50APbF HEXFET® Power MOSFET Applications l Switch Mode Power Supply (SMPS) l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching l Lead-Free VDSS 500V RDS(on) max 0.450 Ω ID 14A Benefits l Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness l Fully Character.

Features

EAS IAR EAR Parameter Single Pulse Avalanche Energy‚ Avalanche Current Repetitive Avalanche Energy Typ.
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  – Max. 560 14 25 Units mJ A mJ Thermal Resistance Parameter RθJC RθCS RθJA Junction-to-Case Case-to-Sink, Flat, Greased Surface Junction-to-Ambient Typ.
  –
  –
  – 0.50
  –
  –
  – Max. 0.50
  –
  –
  – 62 Units °C/W www.irf.com 1 3/18/04 IRFB13N50APbF Static @ TJ = 25°C (unless otherwise specified) Symbol V(BR)DSS ∆V(BR)DSS/∆TJ RDS(on) VGS(th) IDSS IGSS Parameter Drain-to-Source Breakdown Voltage Breakdown Voltage Temp. Coefficient Static Drain-to-Source On-Resistance Gate Threshold Volt.