IRF820APBF - International Rectifier

IRF820APBF HEXFET Power MOSFET

PD - 94978 SMPS MOSFET Applications Switch Mode Power Supply (SMPS) l Uninterruptable Power Supply l High speed power switching l Lead-Free l IRF820APbF HEXFET® Power MOSFET VDSS 500V RDS(on) max 3.0Ω ID 2.5A Benefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness l Fully Characterized Cap.

Features

ns °C Typical SMPS Topologies: l l Two transistor Forward Half Bridge and Full Bridge Notes  through … are on page 8 www.irf.com 1 02/03/04 IRF820APbF Static @ TJ = 25°C (unless otherwise specified) Parameter Drain-to-Source Breakdown Voltage ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance VGS(th) Gate Threshold Voltage V(BR)DSS IDSS IGSS Drain-to-Source Leakage Current Gate-to-Source Forward Leakage Gate-to-Source Reverse Leakage Min. 500
  –
  –
  –
  –
  –
  – 2.0
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  – Typ.
  –
  –
  – 0.60
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  – Max. Units Conditions
  –
  –
  – V VGS = 0.