FP10R12KE3 - Eupec GmbH

FP10R12KE3 IGBT Modules

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FP10R12KE3 Vorläufig Preliminary Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip RMS forw.

Features

istung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral I2t - value T vj =25°C T C = 80°C T C = 25 °C tP = 1 ms, T C = 25°C T C =80°C VCES IC,nom. IC ICRM Ptot VGES 1200 10 15 20 55 +/- 20V V A A A W V IF tP = 1 ms VR = 0V, tp = 10ms, T vj = 125°C IFRM I2t 10 20 20 A A A2s Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-co.