EMB17A03V - Excelliance MOS

EMB17A03V Dual N-Channel MOSFET

    Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  RDSON (MAX.)  17mΩ  ID  10A    UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB17A03V LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  VGS  .

Features

ed by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1％  355°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.        7.5  °C / W  55  2012/8/15  p.1      ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, Unless Otherwise Noted)  PARAMETER  SYMBOL TEST CONDITIONS  EMB17A03V LIMITS  UNIT MIN  TYP MAX STATIC  Drain‐Source Breakdown Voltage  Gate Threshold Voltage  Gate‐Body Leakage  Zero Gate Voltage Drain Current  On‐State Drain Current1  Drain‐Source On‐State Resistance1  Forward Transconductance1  V(BR)DSS  VGS(th)  IGSS  IDSS  ID(ON)  RDS(ON)  gfs  VGS = 0V, ID = 250A  VDS = VGS, ID =.