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. . . 22 Application Board . 23 Physical Characteristics . . . . . . . ..
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 Thermal Resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 ESD Integrity . . . ..
| No. | Partie # | Fabricant | Description | Fiche Technique |
|---|---|---|---|---|
| 1 | BGA7130 |
NXP |
high linearity silicon amplifier |
|
| 2 | BGA711N7 |
Infineon |
SiGe Bipolar 3G/3.5G/4G Single-Band LNA |
|
| 3 | BGA7124 |
NXP |
high linearity silicon amplifier |
|
| 4 | BGA7127 |
NXP |
high linearity silicon amplifier |
|
| 5 | BGA715N7 |
Infineon |
Silicon Germanium Low Noise Amplifier |
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| 6 | BGA7024 |
NXP |
400 MHz to 2700 MHz 0.25 W high linearity silicon amplifier |
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| 7 | BGA7027 |
NXP Semiconductors |
high linearity silicon amplifier |
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| 8 | BGA725L6 |
Infineon |
Silicon Germanium Low Noise Amplifier |
|
| 9 | BGA728L7 |
Infineon |
Broadband Low Noise Amplifier |
|
| 10 | BGA734L16 |
Infineon |
Low Power Tri-Band UMTS LNA |
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| 11 | BGA7351 |
NXP |
high linearity Si variable gain amplifier |
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| 12 | BGA735N16 |
Infineon |
High Linearity Tri-Band LTE/UMTS LNA |
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