BF987 - Siemens Semiconductor Group

BF987 SILICON N CHANNEL MOSFET TRIODE

Silicon N Channel MOSFET Triode q q BF 987 For high-frequency stages up to 300 MHz, preferably in FM applications High overload capability Type BF 987 Marking – Ordering Code Q62702-F35 Pin Configuration 1 2 3 D S G Package1) TO-92 Maximum Ratings Parameter Drain-source voltage Drain current Gate-source peak current Total power dissipation, TA ≤ 45 ˚.

Features

s Forward transconductance VDS = 10 V, ID = 10 mA, f = 1 kHz Gate input capacitance VDS = 10 V, ID = 10 mA, f = 1 MHz Reverse transfer capacitance VDS = 10 V, ID = 10 mA, f = 1 MHz Output capacitance VDS = 10 V, ID = 10 mA, f = 1 MHz Power gain (test circuit) VDS = 10 V, ID = 10 mA , f = 200 MHz, GG = 2 mS, GL = 0.5 mS Noise figure (test circuit) VDS = 10 V, ID = 10 mA , f = 200 MHz, GG = 2 mS, GL = 0.5 mS gfs Cgss Cdg Cdss Gp 14
  –
  –
  –
  – 16 2.7 35 1 25
  –
  –
  –
  –
  – mS pF fF pF dB V(BR) DS ± ± Values typ. max. Unit 20 6.5
  – 5
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  – 12 50 18 2.5 V V(BR) GSS IGSS nA mA V IDSS
  – VGS .